SiC-tasasuuntaajat

STMicroelectronicsin nopea piikarbidijärjestelmälliset Schottky-diodit

STMicroelectronicsin piikarbidirakenteisten Schottky-diodien kytkentä mahdollistaa suunnittelijoiden korkeamman hyötysuhteen ja tehotiheyden. Kattaen virranlukemat välillä 2 A - 40 A, ST: n 650 V: n ja 1200 V: n SiC-diodiperheet sisältävät sekä teollisuudelle tarkoitettuja että autoteollisuudelle tarkoitettuja AEC-Q101-laitteita pinta-asennettavissa DPAK HV (korkeajännite) ja D²PAK tai läpi- reikä TO-220AC ja TO-247LL (pitkä johto) paketit.

ST: n 1200 V piikarbidi (SiC) JBS (Junction Barrier Schottky) -diodivalikoima vastaa suunnittelijoiden vaatimuksia suuremmasta hyötysuhteesta, pienestä painosta, pienestä koosta ja parannetuista lämpöominaisuuksista suorituskykyyn suuntautuneissa sovelluksissa.

Tarjoaa erinomaisen lähtöjännitteen (matala V_F) ja huipputeknisen kestävyyden ansiosta ST: n 1200 V: n SiC-diodit tarjoavat lisävapautta saavuttaa korkea hyötysuhde ja luotettavuus alhaisemmalla virrankulutuksella ja siten alhaisemmilla kustannuksilla samalla kun alentavat käyttölämpötilaa ja pidentävät sovelluksen käyttöikää. Ne takaavat täydellisen istuvuuden jokaisessa kytkinmoodin muuntimessa ja invertterissä, missä tarvitaan äärimmäistä tehotiheyttä ja tehokkuutta, kuten SMPS, UPS, aurinko- ja moottorikäyttö.

ST: n 1200 V: n SiC-diodiperhe kattaa nykyiset nimellisarvot 2 A: sta 40 A: iin. Sisältää sekä teollisuudelle tarkoitetut että autoteollisuudelle tarkoitetut AEC-Q101-laitteet pinta-asennettavissa DPAK HV (korkeajännite) ja D²PAK tai läpivientireikien kautta. -220AC ja TO-247LL (pitkäjohtoiset) paketit.

ST: n 1200 V: n SiC mahdollistaa korkeiden standardien saavuttamisen ja pienimuotoisuuden.